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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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氧化膜外延设备 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  咎育德;  林兰英
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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
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下开平动式直拉单晶炉 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  田金法;  吴金良;  林兰英;  陈诺夫
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一种恒温装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  昝育德;  李瑞云;  王俊;  林兰英
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