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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH;  Li W;  Wang LX;  Chen SF;  Ke JH;  Zhang YL;  Wen JM;  Liu Y;  Wang X;  Yan HQ;  Xie L;  Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn;  liwei05@semi.ac.cn;  lxwang@semi.ac.cn;  sfchen@semi.ac.cn;  jhke@semi.ac.cn;  ylzhang@semi.ac.cn;  jmwen@semi.ac.cn;  yliu@semi.ac.cn;  wxin@semi.ac.cn;  Xiel@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wang JX;  Zeng YP;  Li JM;  Yang Y;  Liu YL;  Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XQ;  Liu XL;  Yang SY;  Liu JM;  Wei HY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Xu XQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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