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一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓东;  季安;  邢波;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, Z;  Xu, ZY;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Ch inese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, R;  Sun, BQ;  Ruan, XZ;  Gan, HD;  Ji, Y;  Wang, WZ;  Zhao, JH;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z. M. Wang;  G. J. Salamo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z.M.Wang;  G.J.Salamo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱蓉辉;  曾一平;  卜俊鹏;  惠峰;  郑红军;  赵冀;  高永亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周蓉;  孙宝权;  阮学忠;  甘华东;  姬扬;  王玮竹;  赵建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张新宇;  李记赛;  季安;  谢长生
Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：759/239  |  提交时间：2010/11/23