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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
作者
徐波 [2]
金鹏 [1]
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
语种
英语 [3]
出处
2008 9TH I... [1]
2009 ICME ... [1]
PHYSICA ST... [1]
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其他 [3]
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ICME. [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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语种:英语
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Multi channel micro neural probe fabricated with SOI
会议论文
2009 ICME INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING, Tempe, AZ, APR 09-11, 2009
作者:
Wang SJ (Wang Shujing)
;
Pei WH (Pei Weihua)
;
Guo K (Guo Kai)
;
Gui Q (Gui Qiang)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Zhang X (Zhang Xu)
;
Tang J (Tang Jun)
;
Chen HD (Chen Hongda)
;
Pei, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Microelectrode Arrays
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Chen YH
;
Tang CH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Inas