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| 一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
发明人: 刘 艳; 余金中
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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 仲莉; 马骁宇
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| 780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 仲莉; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈媛媛; 李艳萍; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈媛媛; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐海华 ; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周亮; 余金中
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