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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua)
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| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
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| 基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| 采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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| 一种复合膜片压力传感器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华
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| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
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| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
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| 在衬底上制备多级台阶的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴; 王晓东; 杨富华
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