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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YL;  Chen NF;  Zhou JP;  Song SL;  Yang SY;  Liu ZK;  Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：939/251  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song, YP;  Zhang, HZ;  Lin, C;  Zhu, YW;  Li, GH;  Yang, FH;  Yu, DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Xin HL;  Fang C;  Wang, CX;  Li F;  Li ZM;  Liu YL;  Wang, QM;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, GH;  Xiao, XB;  Li, Y;  Yang, M;  Zhou, GH, Hunan Normal Univ, Dept Phys, Changsha 410081, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghzhou@hunnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang M;  Li SS;  Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JJ;  Di B;  Yang GC;  Li SS;  Liu, JJ, Hebei Normal Univ, Coll Phys, Shijiazhuang 050016, Peoples R China. 电子邮箱地址: Liujj@mail.hebtu.edu.cn
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