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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu J; Lu XQ; Jin P ; Meng XQ; Wang ZG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Wei HY; Liu XL; Wang J; Lv XQ; Jin P; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(278Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1362/529 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang ZM; Jin C; Jin P; Wu J; Wang ZG; Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn
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| 提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 金灿; 金鹏; 王占国
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁志梅; 吴巨; 金鹏; 吕雪芹; 王占国
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu J; Jiao YH; Jin P; Lv XJ; Wang ZG; Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun J; Jin P; Zhao C; Yu LK; Ye XL; Xu B; Chen YH; Wang ZG; Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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