中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共98条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  纪 刚;  孙国胜;  宁 瑾;  刘兴昉;  赵永梅;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1860/331  |  提交时间：2010/08/12
一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  叶志仙;  刘兴昉
Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1795/301  |  提交时间：2010/08/12
由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-29, 公开日期: 4002
发明人:  刘兴昉
Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1264/225  |  提交时间：2010/03/19
碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  赵永梅;  宁 瑾;  孙国胜;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平 
Adobe PDF(713Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1493/272  |  提交时间：2010/03/19
一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  刘兴昉;  孙国胜
Adobe PDF(405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2780/923  |  提交时间：2010/03/19
多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  王 亮;  宁 瑾;  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  赵永梅;  刘兴昉 
Adobe PDF(519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1420/215  |  提交时间：2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1528/262  |  提交时间：2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  王 亮;  王 雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平 
Adobe PDF(839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1420/242  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Iqbal J;  Liu XF;  Majid A;  Yu DP;  Yu RH;  Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com;  rhyu@tsinghua.edu.cn
Adobe PDF(750Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1396/387  |  提交时间：2010/03/08
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1646/274  |  提交时间：2010/03/09
In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic