中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1477/230  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1239/186  |  提交时间：2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1284/218  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1079/167  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1069/158  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Zhao, LB;  Zhang, GY;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Jia, QJ;  Guo, LP;  Hu, TD;  Wu, JJ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Res Ctr Wide Gap Semicond, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1249/358  |  提交时间：2010/03/08