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| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平
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| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平
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| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽
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| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo); Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王保柱 ; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 郭伦春; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽
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