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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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陈良惠 [1]
周晓龙 [1]
侯识华 [1]
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发表日期
2004 [5]
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发表日期:2004
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Zeng, YP
;
Sun, NF
;
Sun, TN
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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浏览/下载:835/216
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Zhao YW
;
Sun NF
;
Yang GY
;
Xu YQ
;
Sun TN
;
Zhou, XL, Hebei Semicond Res Inst, POB 17940,Shijiazhuang, Hebei 050051, Peoples R China. 电子邮箱地址: tnsun@heinfo.net
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提交时间:2010/03/09
Liquid nitrogen flowrate alarm system for MBE
会议论文
FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAY 31-JUN 02, 2004
作者:
Sun YW
;
Li SY
;
Ni HQ
;
Xu Y
;
Chen LH
;
Sun, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, 912 PO Box, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Liquid Nitrogen(Ln2)
无权访问的条目
期刊论文
作者:
叶晓军
;
朱晓鹏
;
徐云
;
孙永伟
;
侯识华
;
种明
;
陈良惠
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提交时间:2010/11/23