中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1172/176  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, SQ (Zhou, Shengqiang);  Wu, MF (Wu, M. F.);  Yao, SD (Yao, S. D.);  Liu, JP (Liu, J. P.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhou, SQ, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: s.zhou@fz-rossendorf.de
Adobe PDF(155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：894/372  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu J. P.);  Shen GD (Shen G. D.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liu, JP, Beijing Univ Technol, Beijing Optoelect Technol Lab, Pingleyuan 100, Beijing 100022, Chaoyang Dist, Peoples R China. E-mail: jianpingliu76@hotmail.com
Adobe PDF(171Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1152/474  |  提交时间：2010/04/11
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Fang, CB;  Wang, XL;  Wang, JX;  Liu, C;  Wang, CM;  Hu, GX;  Li, JP;  Li, CJ;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1333/262  |  提交时间：2010/03/29
Thermally Stimulated Current  Gallium Nitride  Defects  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z;  Wang JX;  Wang XL;  Hu GX;  Guo LC;  Liu HX;  Li JP;  Li JM;  Zeng YP;  Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：907/237  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou SQ;  Wu MF;  Yao SD;  Liu JP;  Yang H;  Zhou, SQ, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: s.zhou@rossendorf.de;  sdyao@pku.edu.cn
Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/367  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Wang ZG;  Liang LY;  Cheng BC;  Liu JP;  Peng WQ;  Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhouhy@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(164Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1271/300  |  提交时间：2010/04/11
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Wang ZG;  Liang LY;  Cheng BC;  Liu JP;  Peng WQ;  Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(164Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1943/369  |  提交时间：2010/03/29
Anodic Alumina Films  
Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template 会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:  Liu, Z;  Wang, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Guo, LC;  Liu, HX;  Li, JP;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(253Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1585/543  |  提交时间：2010/03/29
Surface Morphology