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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  刘祥林;  韩培德;  王晓晖;  汪度;  袁海荣
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