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适用于疏波分复用的双波长串联分布反馈激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谢红云;  王圩;  王鲁峰;  边静
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
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激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆;  王鲁峰;  边静
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集成太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu HX (Lu Huaxiang);  Lu Y (Lu Yan);  Tang ZF (Tang Zhifang);  Wang SJ (Wang Shoujue);  Lu, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Neural Network Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: luhx@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ (Liu Jun-Qi);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Ye S (Ye Shao);  Lu L (Lu Li);  Yu G (Yu Guo);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ (Wang Shoujue);  Zhao GL (Zhao Guliang);  Fei L (Fei Lu);  Wang, SJ, Zhejiang Univ Technol, Informat Coll, Inst Intelligent Informat Syst, Hangzhou 310032, Peoples R China. E-mail: wsjue@red.semi.ac.cn;  glzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao Q (Zhao Qian);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Ding Y (Ding Ying);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang LF (Wang Lu-Feng);  Wang W (Wang Wei);  Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ (Liu Jun-Qi);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Li L (Li Lu);  Shao Y (Shao Ye);  Guo Y (Guo Yu);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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