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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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制备稀磁半导体Ga 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈晨龙;  陈诺夫;  吴金良
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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈晨龙;  陈诺夫;  吴金良
Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：829/129  |  提交时间：2009/06/11
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
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Mode analysis of the UV-written channel waveguide - art. no. 60340J 会议论文
ICO20 Optical Design and Fabrication丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Xia JL;  Wu YD;  An JM;  Li J;  Gao DS;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev, Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Uv-written  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Gao FB;  Zhang XW;  Chen CL;  Wu JL;  Yu YD;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴远大;  夏君磊;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  胡雄伟
Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：943/288  |  提交时间：2010/11/23