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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP; Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者: Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP; Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy High Electron Mobility Transistors Density |
| Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者: Cao X; Zeng YP; Cui LJ; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy Mobility |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH; Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP; Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao X; Zeng YP; Cui LJ; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李联合; 潘钟; 张伟 ; 林耀望; 王学宇; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马骁宇; 吴荣汉; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马晓宇; 吴荣汉; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 罗向东; 徐仲英; 潘钟; 李联合; 林耀望; 葛维琨
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