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Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical Microscopy  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Sapphire  Deposition  Films  
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Low-temperature Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Han PD;  Yuan HR;  Wang D;  Wang ZG;  He ST;  Li HL;  Yan L;  Chen XY;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Li GH;  Zhang JG;  Zhang LD;  Liu YL;  Wang QM;  Yang L,Chinese Acad Sci,Inst Solid State Phys,Hefei 230031,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：911/252  |  提交时间：2010/08/12