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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1262/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平 Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1238/230  |  提交时间:2012/08/29 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2573/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2541/513  |  提交时间:2012/08/29 |
| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2444/495  |  提交时间:2012/08/29 |
| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:494/1  |  提交时间:2016/09/12 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1289/136  |  提交时间:2014/11/24 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1501/130  |  提交时间:2014/11/24 |