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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
MATERIALS RESEARCH, Chongqing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-12, 2008
作者:
Zhao L
;
Lu ZX
;
Cheng CJ
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Sun BJ
;
Qu B
;
Zhang XF
;
Sun WG
;
Zhao, L, Luoyang Optoelect Inst, Luoyang, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Alxga1-xn
On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Shou-Li Z
;
De-Ping X
;
Ya-Li I
;
Hai-Lin C
;
Yin-Zhe C
;
Ang M
;
Ji-He L
;
Jun-Hua G
;
Shou-Li, Z, Zhejiang Univ Technol, Coll Informat Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Rce- P-i-n-pd
Design and performance of monolithic integrated electro-absorption modulated distributed feedback laser - art. no. 67820Y
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Butt Joint
The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S
会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Li J
;
An JM
;
Wang HJ
;
Xia JL
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
Silicon thin films prepared in the transition region and their use in solar cells
会议论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, Bangkok, THAILAND, JAN 27-FEB 01, 2004
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Raniero L
;
Fortunato E
;
Xu Y
;
Kong G
;
Aguas H
;
Ferreira I
;
Martins R
;
Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/03/29
Silicon
Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I
会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:
Feng W
;
Pan JQ
;
Zhou F
;
Wang LF
;
Bian J
;
Wang BJ
;
An X
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Inp
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
Research on nitrogen implantation energy dependence of the properties of SIMON materials
会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Pacific Grove, CA, SEP 05-10, 2004
作者:
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Chen M
;
Zhang ZX
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Wang X
;
Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Ion Beam Lab, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 20050, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Nitrogen
Direct Wafer Bonding Technology employing vacuum-cavity pre-bonding
会议论文
Optoeletronic Materials and Devices丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Gwangju, SOUTH KOREA, SEP 05-07, 2006
作者:
Yang GH (Yang Guohua)
;
He GR (He Guorong)
;
Zheng WH (Zheng Wanhua)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Yang, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Leakage current analysis in AlGaInP/GaInP multi-quantum well lasers by the electrical derivative method - art. no. 60202F
会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:
Xu Y
;
Li YZ
;
Song GF
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aigainp Laser Diodes