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| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiangyang Dai ; Quanan Chen ; Gongyuan Zhao ; Yuanyuan Liu; Qiaoyin Lu ; John F. Donegan ; Weihua Guo
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| 集成天线的氮化镓基高电子迁移率晶体管太赫兹波探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 张博文
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liangliang Yang; Jiangtao Wei ; Zhe Ma ; Peishuai Song; Jing Ma ; Yongqiang Zhao; Zhen Huang ; Mingliang Zhang ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang
Adobe PDF(12437Kb) | 收藏 | 浏览/下载：192/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| AlGaN/GaN电力电子器件的设计、制备与可靠性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 梁亚楠
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| 基于AlGaN/GaN HEMT的太赫兹波探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 白龙
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 李迪
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Du, YD; Han, WH; Yan, W; Yang, FH
Adobe PDF(947Kb) | 收藏 | 浏览/下载：559/76 | 提交时间：2015/04/02 |
