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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Indium Phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Semiinsulating Inp
Indium-phosphide
Fe
Photoluminescence
Temperature
Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Lu LW
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Wang J
;
Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Znste
Improved neutron radiation hardness for Si detectors: Application of low resistivity starting material and or manipulation of N-eff by selective filling of radiation-induced traps at low temperatures
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 46 (3), TORONTO, CANADA, NOV 08-14, 1998
作者:
Dezillie B
;
Li Z
;
Eremin V
;
Bruzzi M
;
Pirollo S
;
Pandey SU
;
Li CJ
;
Dezillie B Brookhaven Natl Lab Upton NY 11973 USA.
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提交时间:2010/11/15
Silicon Detectors