|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
 Adobe PDF(13279Kb) |  收藏 | 浏览/下载：599/21 | 提交时间：2018/06/14 |
| 锗锡发光材料生长与特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 张旭
Adobe PDF(6153Kb) | 收藏 | 浏览/下载：700/50 | 提交时间：2016/06/01 |
| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘广政
Adobe PDF(6805Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1585/100 | 提交时间：2016/06/03
Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
Adobe PDF(7728Kb) | 收藏 | 浏览/下载：828/54 | 提交时间：2016/06/02
Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
Adobe PDF(12727Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1002/90 | 提交时间：2016/06/02
Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
Adobe PDF(15932Kb) | 收藏 | 浏览/下载：721/63 | 提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 曾清
Adobe PDF(1540Kb) | 收藏 | 浏览/下载：794/66 | 提交时间：2016/05/31
石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hui Cong; Chunlai Xue; Jun Zheng; Fan Yang; Kai Yu; Zhi Liu; Xu Zhang; Buwen Cheng; Qiming Wang
Adobe PDF(334Kb) | 收藏 | 浏览/下载：295/6 | 提交时间：2017/03/10 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bahadir Kucukgok; Xuewang Wu; Xiaojia Wang; Zhiqiang Liu; Ian T. Ferguson; Na Lu
Adobe PDF(1085Kb) | 收藏 | 浏览/下载：661/1 | 提交时间：2017/03/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiang Chen; Jianchang Yan; Yun Zhang; Yingdong Tian; Yanan Guo; Shuo Zhang; Tongbo Wei; Junxi Wang; Jin Min Li
Adobe PDF(768Kb) | 收藏 | 浏览/下载：324/8 | 提交时间：2017/03/16 |
