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| 硅基InGaAsInGaAsP多量子阱外延技术及硅基激光器的探索研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 杨文宇 Adobe PDF(8576Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:370/14  |  提交时间:2022/07/15 |
| 硅基III-V族多量子阱激光器的研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 李亚节 Adobe PDF(9547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:521/43  |  提交时间:2020/08/05 |
| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 李稚博 Adobe PDF(4505Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1015/27  |  提交时间:2018/01/03 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 孔祥挺 Adobe PDF(15211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:600/39  |  提交时间:2017/06/05 Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 硅基混合集成高速直调激光器关键技术的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 戴兴 Adobe PDF(5297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/112  |  提交时间:2017/06/06 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李士颜 Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/63  |  提交时间:2016/06/02 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |