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| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 郝美兰
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| 锗锡发光材料生长与特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 张旭
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| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘广政
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Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
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Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
Adobe PDF(15932Kb) | 收藏 | 浏览/下载：742/63 | 提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 曾清
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石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd |
