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III-V族半导体材料中的圆偏振光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  吴静
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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 学位论文
作者:  苏杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ju Wu;  Peng Jin
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:334/1  |  提交时间:2016/03/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1599/365  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, L;  Zhou, HY;  Qu, SC;  Wang, ZG;  Jin, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912,A 35,Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China,jinlan06@semi.ac.cn;  qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu, Yingping;  Wang, Yang;  Shao, Yongbo;  Zhou, Daibing;  Liang, Song;  Zhao, Lingjuan;  Wang, Wei;  Qiu, Y.(ypqiu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:861/243  |  提交时间:2012/06/14