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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen T;  Hong T;  Pan JQ;  Chen WX;  Cheng YB;  Wang Y;  Ma XB;  Liu WL;  Zhao LJ;  Ran GZ;  Wang W;  Qin GG;  Chen T Peking Univ State Key Lab Mesoscop Phys Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: rangz@pku.edu.cn;  qingg@pku.edu.cn
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Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Liang, LY;  Ye, XL;  Jin, P;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Induced Refractive-index  Growth  Lasers  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, HB;  Zhao, LJ;  Pan, JQ;  Zhu, HL;  Zhou, F;  Wang, BJ;  Wang, W;  Liu, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbliu2005@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Rui;  Zhang Fan;  Zhao Youwen;  Dong Zhiyuan;  Yang Jun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tangring, I (Tangring, I.);  Wang, SM (Wang, S. M.);  Sadeghi, M (Sadeghi, M.);  Larsson, A (Larsson, A.);  Wang, XD (Wang, X. D.);  Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: ivar.tangring@mc2.chalmers.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiaoyuheng@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S (Liang S.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Ye XL (Ye X. L.);  Wang W (Wang W.);  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T (Yang Tao);  Tatebayashi J (Tatebayashi Jun);  Nishioka M (Nishioka Masao);  Arakawa Y (Arakawa Yasuhiko);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: tyang@semi.ac.cn
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Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G 会议论文
ICO20 MATERIALS AND NANOSTRUCTURES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Shen, WJ;  Duan, Y;  Wang, J;  Wang, QY;  Zeng, YP;  Shen, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(402Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1672/615  |  提交时间：2010/03/29
Zno  Mocvd  Thermal Annealing  Photoluminescence  X-ray Diffraction  Atomic Force Microscopy  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Photoluminescence  Mechanisms  Epitaxy  Cvd  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1064/206  |  提交时间：2010/04/11