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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DL (Li Dong-Lin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ldl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Jianlin;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Liu Zhongli;  Yang Fuhua;  Bai Yunxia
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan Ruifei;  Wang Baoqiang;  Zhu Zhanping;  Zeng Yiping
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Wang J;  Ge W;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  张砚华;  Wang J;  Ge Weikun
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Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Wang XG;  Chang Y;  Chu JH;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1094/343  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Wu J;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Jiang C;  Gong Q;  Liu FQ;  Zhou W;  Li HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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