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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
Resonant magnetopolaron effects in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures 会议论文
PHYSICA E, 2 (1-4), SANTA BARBARA, CALIFORNIA, JUL 14-18, 1997
作者:  Wang YJ;  Nickel HA;  McCombe BD;  Peeters FM;  Shi JM;  Hai GQ;  Wu XG;  Eustis TJ;  Schaff W;  Wang YJ Florida State Univ Natl High Magenet Field Lab 1800 E Paul Dirac Dr Tallahassee FL 32306 USA.
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Resonant Magnetopolaron Effects  Gaas/algaas Quantum Well Structures  Interface Phonons  Electron-optical-phonon Interaction  Polaron-cyclotron-resonance  Phonon Modes  Gaas  Heterostructures  Superlattices  Electrons