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作者:  陈贵锋;  谭小动;  万尾甜;  沈俊;  郝秋艳;  唐成春;  朱建军;  刘宗顺;  赵德刚;  张书明
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具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱继红;  张书明;  朱建军
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一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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