SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
陈贵锋; 谭小动; 万尾甜; 沈俊; 郝秋艳; 唐成春; 朱建军; 刘宗顺; 赵德刚; 张书明
2011
Source Publication物理学报
Volume60Issue:7Pages:076104-1-076104-4
Abstract在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20mA时,LED器件的工作电压为4.6V.
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization天津市自然科学基金,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4277156
Date Available2012-07-17
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23280
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
陈贵锋,谭小动,万尾甜,等. 纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性[J]. 物理学报,2011,60(7):076104-1-076104-4.
APA 陈贵锋.,谭小动.,万尾甜.,沈俊.,郝秋艳.,...&张书明.(2011).纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性.物理学报,60(7),076104-1-076104-4.
MLA 陈贵锋,et al."纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性".物理学报 60.7(2011):076104-1-076104-4.
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