中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马平;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1732/324  |  提交时间：2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1904/355  |  提交时间：2012/09/09
氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  李京波;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1481/248  |  提交时间：2011/08/31
一种氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  王军喜;  刘乃鑫;  路红喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1504/267  |  提交时间：2011/08/31
提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马平;  王军喜;  魏学成;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1813/367  |  提交时间：2012/09/09
发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜
Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1830/390  |  提交时间：2012/09/09
高质量氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010541038.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1336/250  |  提交时间：2011/08/31
一种紫外LED的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  贠利君;  吴奎;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1843/343  |  提交时间：2012/09/09
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  周帆;  赵玲娟;  王圩
Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1343/190  |  提交时间：2011/08/31