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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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| 一种光电分离的太阳能电池背反射器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162344.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇; 彭文博; 谢小兵; 姚文杰; 王超
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| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 张兴旺; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光
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| 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162332.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 肖海波; 曾湘波; 谢小兵; 姚文杰; 彭文博; 刘石勇
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| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113777.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
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| 一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张兴旺; 高红丽; 谭海仁; 尹志岗; 吴金良
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| 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩
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| 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078560.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 石明吉; 曾湘波; 王占国; 刘石勇; 彭文博; 肖海波; 张长沙
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| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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