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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共19条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2004
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Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Xu Y
;
Zhu XP
;
Ye XJ
;
Kang XN
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
;
Xu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Finite-difference Methods
Algainp Laser Diodes
Risa
Operation
Layer
Nm
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, S
;
Xu, Y
;
Liao, X
;
Martins, R
;
Fortunato, E
;
Hu, Z
;
Kong, G
;
Zhang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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浏览/下载:835/213
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu LF
;
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Chen CL
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu Z
;
Liu, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lfliu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:932/249
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XX
;
Li DB
;
Yuan HR
;
Sun XH
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1443/304
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提交时间:2010/03/09
Behavior model of a CMOS process compatible photo-diode
会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:
Gao P
;
Chen HD
;
Mao LH
;
Gao, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1182/269
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提交时间:2010/03/29
Receivers
Characterization of polymorphous silicon thin film and solar cells
会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM II, 455-456, Caparica, PORTUGAL, APR 14-16, 2003
作者:
Zhang S
;
Xu Y
;
Liao X
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Hu Z
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Thin Film
Solar Cell
Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Hao, HY
;
Zhang, SB
;
Xu, YY
;
Zeng, XB
;
Diao, HW
;
Kong, GL
;
Liao, XB
;
Hao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Condensed Matter Phys, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1256/230
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提交时间:2010/03/29
Open-circuit Voltage
Silicon Solar-cells
Amorphous-silicon
Absorption
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
康香宁
;
陈良惠
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浏览/下载:853/311
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Zhihong
;
Wang Wei
;
Wang Shurong
;
Zhao Lingjuan
;
Zhu Hongliang
;
Zhou Fan
;
Wang Lufeng
;
Ding Ying
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提交时间:2010/11/23