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高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵有文
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磷化铟中与非化学配比有关的缺陷的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  董志远
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  董志远;  赵有文;  曾一平;  段满龙;  李晋闽
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