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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:
Yu, JZ
;
Han, GQ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Recent progresses of silicon-based optoelectronic devices for application in fiber communication
会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:
Yu, JZ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1137/266
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提交时间:2010/03/29
Low-power-consumption
Modulator
Photodetector
Fabrication
Diode
SiGe/Si quantum well resonant-cavity-enhanced photodetector
会议论文
TERAHERTZ AND GIGAHERTZ ELECTRONICS AND PHOTONICS II, 4111, SAN DIEGO, CA, JUL 31-AUG 02, 2000
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Zhu JL
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Rce Photodetector
Sige/si
Simox
Bragg Reflector
Fabrication of silicon-on-reflector for Si-based resonant-cavity-enhanced photodetectors
会议论文
50TH ELECTRONIC COMPONENTS & TECHNOLOGY CONFERENCE - 2000 PROCEEDINGS, LAS VEGAS, NV, MAY 21-24, 2000
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mirrors
Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Cheng BW
;
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sige/si
Mqws
Photodetector
1.3 Mu-m
Si/sio2
Si-based optoelectronic devices and their attractive applications
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Wang QM
;
Yang QQ
;
Zhu YQ
;
Si JJ
;
Liu YL
;
Lei HB
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen BW
;
Yu Z
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Gap/si Heterostructure
Gs-mbe
Lattice Match
X-ray Double Crystal Diffraction
Photoluminescence (Pl)