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无权访问的条目 学位论文
作者:  黄宇亮
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：845/78  |  提交时间：2016/06/01
Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
无权访问的条目 学位论文
作者:  赵云
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带隙可调的钙钛矿材料制备及其光电器件的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王乐
Adobe PDF(3539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：608/39  |  提交时间：2016/05/30
钙钛矿  薄膜  单晶  可调带隙  光电器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  K.C. Wang;  G.D.Yuan n;  R.W.Wu;  H.X.Lu;  Z.Q.Liu;  T.B.Wei;  J.X.Wang;  J.M.Li;  W.J.Zhang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang Huang;  Zhiqiang Liu;  Xiaoyan Yi;  Yao Guo;  Guodong Yuan;  JunXi Wang;  Guohong Wang;  Jinmin Li
Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：267/2  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shuo Zhang;  Ping Ma;  Boting Liu;  Dongxue Wu;  Yuliang Huang;  Junxi Wang;  Jinmin Li
Adobe PDF(1088Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：277/1  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bing Wang;  Yun Zhao;  Xiao-Yan Yi;  Guo-Hong Wang;  Zhi-Qiang Liu;  Rui-Rei Duan;  Peng Huang;  Jun-Xi Wang;  Jin-Min Li
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：164/4  |  提交时间：2017/03/16