|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李稚博
 Adobe PDF(4505Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1043/27 | 提交时间：2018/01/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Y (Zhang Yang); Guan M (Guan Min); Liu XF (Liu Xingfang); Zeng YP (Zeng Yiping)
Adobe PDF(1151Kb) | 收藏 | 浏览/下载：991/191 | 提交时间：2012/02/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵杰; 曾一平
Adobe PDF(500Kb) | 收藏 | 浏览/下载：4536/1431 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng QW; Wang XL; Yang CB; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Hou QF; Bi Y; Li JM; Wang ZG; Hou X; Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(1060Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2207/481 | 提交时间：2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波; 刘超; 张杨; 赵杰; 曾一平
Adobe PDF(942Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2005/346 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
Adobe PDF(385Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1166/327 | 提交时间：2011/08/16 |
| 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张雨溦; 张杨; 曾一平
Adobe PDF(473Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1943/323 | 提交时间：2012/08/29 |
