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| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 冯银红
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| III-V族半导体材料中的圆偏振光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 吴静
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu, Jing; Hao, Hui Ming; Liu, Yu; Zhang, Yang; Zeng, Xiao Lin; Zhu, Shen Bo; Niu, Zhi Chuan; Ni, Hai Qiao; Chen, Yong Hai
Adobe PDF(3267Kb) | 收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2022/07/26 |
| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
Adobe PDF(4082Kb) | 收藏 | 浏览/下载：395/5 | 提交时间：2020/08/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng Gao; Yang Zhao; Xingwang Zhang; Jingbi You
Adobe PDF(5535Kb) | 收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2021/12/20 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiaoye Wang; Xue Bai; Xiaoguang Yang; Xiaoming Liu; Wenna Du; Tao Yang
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| 基于缺陷钝化工程的高效稳定无迟滞钙钛矿太阳能电池研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: Muhammad-Azam
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng Gao; Yang Zhao; Xingwang Zhang; Jingbi You
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| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 沈桂英
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Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
