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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Wang L;  Li L;  Liu J;  Liu FQ;  Wang Z;  Liu, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liuwanfeng@semi.ac.cn;  ljwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Yu;  Liu Fengqi;  Liu Junqi;  Li Lu;  Wang Lijun;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong N;  Liu JQ;  Li L;  Liu FQ;  Wang LJ;  Wang ZG;  Lu W;  Kong, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jqliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Liu FQ;  Li L;  Wang LJ;  Wang ZG;  Liu JQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jqliu@semi.ac.cn
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InGaAs/InAlAs/InP 量子级联激光器材料生长与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  李路
Adobe PDF(4312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:807/38  |  提交时间:2009/04/13
InGaAs/InAlAs/InP 量子级联激光器材料生长与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  李路
Adobe PDF(4312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:951/84  |  提交时间:2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Lu;  Shao Ye;  Liu Junqi;  Liu Fengqi;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Che XL;  Li L;  Liu FQ;  Huang XQ;  Wang ZG;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘峰奇;  郭瑜;  李路;  邵晔;  刘俊岐;  路秀真;  王占国
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斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陆全勇;  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  刘峰奇;  王占国
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