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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, D;  Wang, H;  Wu, B;  Ni, H;  Huang, S;  Xiong, Y;  Wang, P;  Han, Q;  Niu, Z;  Tangring, I;  Wang, SM;  Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Y;  Han, CL;  Gao, JF;  Zhu, ZP;  Wang, BQ;  Zeng, YP;  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_yang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao, GD;  Chen, YH;  Hao, GD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gdhao@semi.ac.cn;  yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhong, L;  Ma, XY;  Zhong, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhongli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ruan, XZ;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Yang, W;  Zhao, JH;  Xu, ZY;  Ruan, XZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Wang, CM;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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Characteristics of triangle and square InP/InGaAsP microlasers 会议论文
ICTON 2008: PROCEEDINGS OF 2008 10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, Athens, GREECE, JUN 22-26, 2008
作者:  Huang YZ;  Wang SJ;  Che KJ;  Hu YH;  Du Y;  Yu LJ;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer  
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Yang, FH;  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Mocvd  Led  Nano-pattern  Sem  Hrxrd  Pl  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y;  Chen LH;  Li YZ;  Song GF;  Wang YP;  Zhuang WD;  Long Z;  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuyun@red.semi.ac.cn
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