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Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:  Luo XH;  Wang RM;  Zhang XP;  Zhang HZ;  Yu DP;  Luo MC;  Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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Transmission Electron Microscopy  Electron Energy Loss Spectroscopy  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Nitride  Chemical-vapor-deposition  Epitaxy  Layer  
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order 会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:  Zhang S;  Liao X;  Xu Y;  Martins R;  Fortunato E;  Kong G;  Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Amorphous-silicon Films  Scattering  Absorption  Densities  Hydrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu ZH;  Liao XB;  Diao HW;  Kong GL;  Zeng XB;  Xu YY;  Hu, ZH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: huzhihua@public.km.yn.cn
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1275/296  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YC;  Fu GS;  Yu W;  Li SQ;  Wang YL;  Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China.
Adobe PDF(636Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1039/351  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, S;  Xu, Y;  Liao, X;  Martins, R;  Fortunato, E;  Hu, Z;  Kong, G;  Zhang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nedev N;  Beshkov G;  Fortunato E;  Georgiev SS;  Ivanov T;  Raniero L;  Zhang SB;  Martins, R;  Martins, R, Bulgarian Acad Sci, Inst Solid State Phys, Tzarigradsko Chaussee 72, BU-1784 Sofia, Bulgaria. 电子邮箱地址: rm@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, XH;  Wang, RM;  Zhang, XP;  Zhang, HZ;  Yu, DP;  Luo, MC;  Wang, RM, Peking Univ, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1123/333  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Q;  Yan, H;  Kumeda, A;  Shimizu, T;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang S;  Liao X;  Xu Y;  Martins R;  Fortunato E;  Kong G;  Zhang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Luminescence properties of Er3+ - Doped SiOx films containing amorphous Si nanoparticles 会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:  Chen WD;  Chen CY;  Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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