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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, J;  Tao, YL;  Wang, W;  Ma, ZH;  Zuo, YH;  Cheng, BW;  Wang, QM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang F;  Xu SJ;  Ning JQ;  Zheng CC;  Zhao DG;  Yang H;  Che CM;  Zhang, F, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. sjxu@hkucc.hku.hk
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