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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
Authors:  刘胜北
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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
Authors:  邓懿;  赵德刚;  吴亮亮;  刘宗顺;  朱建军;  江德生;  张书明;  梁骏吾
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