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半导体中的非辐射复合与双壁纳米管电子结构的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  郭丹
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nie, S. H.;  Chin, Y. Y.;  Liu, W. Q.;  Tung, J. C.;  Lu, J.;  Lin, H. J.;  Guo, G. Y.;  Meng, K. K.;  Chen, L.;  Zhu, L. J.;  Pan, D.;  Chen, C. T.;  Xu, Y. B.;  Yan, W. S.;  Zhao, J. H.
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硅基半导体超短脉冲激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-27
发明人:  丁颖;  倪海桥;  李密锋;  喻颖;  查国伟;  徐建新;  王莉娟;  牛智川
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多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:  倪海桥;  丁颖;  李密锋;  喻颖;  査国伟;  牛智川
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基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  倪海桥;  丁颖;  徐应强;  李密锋;  喻颖;  査国伟;  徐建新;  牛智川
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InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  蒋洞微;  向伟;  王娟;  邢军亮;  王国伟;  徐应强;  任正伟;  贺振宏;  牛智川
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一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  郝宏玥;  王国伟;  向伟;  蒋洞微;  邢军亮;  徐应强;  牛智川
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一种雪崩光电二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  向伟;  王国伟;  徐应强;  郝宏玥;  蒋洞微;  任正伟;  贺振宏;  牛智川
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