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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/330  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wang JX; Zeng YP; Li JM; Yang Y; Liu YL; Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1127/294  |  提交时间:2010/03/08 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1488/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽 Adobe PDF(900Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2420/467  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(725Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1108/307  |  提交时间:2010/11/23 |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1698/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1748/227  |  提交时间:2011/08/31 |
| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平 Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1695/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1816/267  |  提交时间:2011/08/31 |