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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wang JX;  Zeng YP;  Li JM;  Yang Y;  Liu YL;  Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马平;  魏同波;  段瑞飞;  王军喜;  李晋闽;  曾一平
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  魏同波;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  胡强;  段瑞飞;  魏同波;  杨建坤;  霍自强;  曾一平
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