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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1749/284  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/205  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 应杰; 张兴旺; 范亚明 Adobe PDF(471Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1306/218  |  提交时间:2011/08/31 |
| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 朱洪亮; 张兴旺; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1421/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩 Adobe PDF(466Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1398/208  |  提交时间:2011/08/31 |