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波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  付生辉;  钟源;  陈良惠
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大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇;  林涛;  郑凯;  王勇刚
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高注入效率大功率８０８nm量子阱半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇;  郑凯;  林涛;  王勇刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Tu XG;  Li SP;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Yu YD;  Yu, JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao JX (Gao Jian-Xia);  Song GF (Song Guo-Feng);  Guo BS (Guo Bao-Shan);  Gan QQ (Gan Qiao-Qiang);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Gao, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxgao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG (Hu Wei-Guo);  Liu, XL (Liu Xiang-Lin);  Zhang, PF (Zhang Pan-Feng);  Zhao, FA (Zhao Feng-Ai);  Jiao, CM (Jiao Chun-Mei);  Wei, HY (Wei Hong-Yuan);  Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing);  Wu, JJ (Wu Jie-Jun);  Cong, GW (Cong Guang-Wei);  Pan, Y (Pan Yi);  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, J (Liu, J.);  Li, L (Li, L.);  Liu, S (Liu, S.);  Liu, M (Liu, Min);  Wang, YG (Wang, Y.-G.);  Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang CB (Fang Cebao);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Hu GX (Hu Guoxin);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XY (Wang Xiaoyan);  Li JP (Li Jianping);  Wang JX (Wang Junxi);  Li CJ (Li Chengji);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen HD (Chen Hong-Da);  Liu HJ (Liu Hai-Jun);  Liu JB (Liu Jin-Bin);  Ming G (Ming Gu);  Huang BJ (Huang Bei-Ju);  Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hjliu@red.semi.ac.cn
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