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| 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明 ; 种明; 朱建军; 杨辉
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| 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李德尧; 张书明 ; 杨辉; 梁俊吾
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李德尧; 张书明 ; 王建峰; 陈俊; 陈良惠 ; 种明; 朱建军 ; 赵德刚 ; 刘宗顺; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陈俊; 张书明 ; 张宝顺; 朱建军 ; 冯淦; 段俐宏; 王玉田 ; 杨辉; 郑文琛
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王俊; 赵德刚 ; 刘宗顺; 伍墨; 金瑞琴 ; 李娜; 段俐宏; 张书明 ; 朱建军 ; 杨辉
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 杨辉
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| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明 ; 杨辉
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| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明 ; 杨辉
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| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王辉; 朱建军; 张书明 ; 杨辉
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