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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
金鹏 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2006 [5]
语种
英语 [5]
出处
2006 3rd I... [1]
JOURNAL OF... [1]
MATERIALS ... [1]
THIN SOLID... [1]
Ultrafast ... [1]
资助项目
收录类别
其他 [3]
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IEEE. [1]
Natl Nat S... [1]
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发表日期:2006
文献类型:会议论文
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Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix
会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:
Wang XX (Wang Xiaoxin)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
会议论文
THIN SOLID FILMS, Taipei, TAIWAN, NOV 12-14, 2004
作者:
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
;
Feng, ZC, Natl Taiwan Univ, Grad Inst Electroopt Engn, Taipei, Taiwan. 电子邮箱地址: zcfeng@cc.ee.nut.edu.tw
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提交时间:2010/03/29
Time-resolved Photoluminescence
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation